เซมิคอนดักเตอร์และอิเล็กทรอนิกส์ - การประยุกต์ใช้เลเซอร์เฟมโตวินาที

มหาวิทยาลัยและศูนย์วิจัยและพัฒนา

การสำรวจสสารในระดับไมโครและนาโนเป็นขอบเขตสำคัญของวิทยาศาสตร์สมัยใหม่ เลเซอร์เฟมโตวินาที ด้วยพัลส์ที่สั้นมาก (10⁻¹⁵ วินาที) และกำลังสูงสุดสูง ทำให้สามารถทำการ "การระเหยเย็น" แบบไม่สัมผัสได้กับวัสดุแทบทุกชนิด

เราให้บริการโซลูชันการผลิตระดับไมโครและนาโนที่มีความยืดหยุ่นและมีความแม่นยำสูงสำหรับมหาวิทยาลัยและศูนย์วิจัยและพัฒนา ไม่ว่าจะเป็นการศึกษาเกี่ยวกับกลไกการประมวลผลหรือการสร้างต้นแบบอุปกรณ์ขนาดเล็ก เทคโนโลยีของเราจะทำลายข้อจำกัดต่างๆ และส่งเสริมการสร้างสรรค์นวัตกรรมข้ามสาขาวิชา

ขอบเขตการวิจัย

1. ปฏิสัมพันธ์ระหว่างเลเซอร์กับสสาร

นักวิจัยสามารถเปรียบเทียบเกณฑ์การทำลายเนื้อเยื่อระหว่างพัลส์เฟมโตวินาที พิโควินาที และนาโนวินาที โดยศึกษาถึงกลไกการเกิดรูภายใต้ความหนาแน่นของพลังงานต่างๆ เพื่อสร้างข้อมูลที่น่าเชื่อถือสำหรับการตีพิมพ์ผลงานที่มีผลกระทบสูง

2. การปรับแต่งพื้นผิวด้วยฟังก์ชันเฉพาะ

ระบบเลเซอร์เฟมโตวินาทีช่วยให้สามารถปรับเปลี่ยนโครงสร้างและพื้นผิวได้อย่างแม่นยำ これにより ทำให้สามารถสร้างพื้นผิวขนาดไมโครและนาโนบนโลหะ แก้ว หรือพอลิเมอร์ เพื่อให้ได้คุณสมบัติกันน้ำได้ดีเยี่ยม กันน้ำได้ดีเยี่ยม ป้องกันการเกิดน้ำแข็ง ป้องกันแสงสะท้อน หรือส่งเสริมการยึดเกาะของเซลล์ได้

3. การสร้างต้นแบบอุปกรณ์ขนาดเล็กอย่างรวดเร็ว

เอาชนะปัญหาต้นทุนสูงและความซับซ้อนของกระบวนการโฟโตลิโทกราฟี กระบวนการเขียนโดยตรงแบบไม่ต้องใช้มาสก์ของเราใช้งานได้กับซิลิคอน เซรามิก และฟิล์มบาง มีการใช้งานอย่างแพร่หลายสำหรับการสร้างต้นแบบอย่างรวดเร็วและการปรับปรุงแก้ไขเซ็นเซอร์ MEMS ชิปไมโครฟลูอิดิก มาสก์ และโฟโตอิเล็กโทรด

ความสามารถระดับห้องปฏิบัติการ

1. การเจาะไมโครละเอียดพิเศษ

เราก้าวข้ามข้อจำกัดแบบเดิมๆ เพื่อให้ได้อัตราส่วนความกว้างต่อความยาว (Aspect Ratio) สูงถึง 10:1 ด้วยเส้นผ่านศูนย์กลางขั้นต่ำ 3-5 ไมโครเมตร กระบวนการของเราช่วยให้ได้ความกลมและความสม่ำเสมอสูง รองรับการเจาะรูแบบเรียวขึ้น เรียวลง รูตรงแบบไม่เรียว และรูรูปทรงต่างๆ

2. การตัดที่แม่นยำและไม่ก่อให้เกิดความเสียหาย

สำหรับการตัดแผ่นฟอยล์ที่บอบบางและโครงสร้างเชิงกลขนาดเล็ก การตัดด้วยเลเซอร์เฟมโตวินาทีช่วยให้ได้ขอบที่เรียบเนียน ปราศจากเสี้ยน และไม่มีการเสียรูปจากความร้อน ด้วยความกว้างของร่องตัด/สันที่น้อยที่สุดเพียง 5 ไมโครเมตร จึงเหมาะอย่างยิ่งสำหรับการตัดแผ่นโลหะและชิ้นส่วนที่มีความแม่นยำสูงโดยไม่เกิดความเครียด

3. การกัดเซาะแบบควบคุมความลึก

ด้วยความสามารถในการควบคุมความลึกในระดับไมครอน เราจึงสามารถกัดเซาะร่องตัน ไมโครบูสบนพื้นผิว และกำจัดฟิล์มแบบเลือกเฉพาะได้อย่างแม่นยำ การใช้งานทั่วไป ได้แก่ แผงรูสี่เหลี่ยมขนาด 25 ไมครอน และรูปแบบอิเล็กโทรดแบบคดเคี้ยว ซึ่งเหมาะอย่างยิ่งสำหรับวงจรรวม (IC) และงานวิจัยด้านไมโครอิเล็กทรอนิกส์

ทำไมต้องร่วมเป็นพันธมิตรกับเรา?

ระบบเดียวสำหรับห้องปฏิบัติการทั้งหมด ตั้งแต่เซรามิกแข็งและเพชร ไปจนถึงพอลิเมอร์ที่ไวต่อความร้อนและเนื้อเยื่อทางชีวภาพ เลเซอร์เฟมโตวินาทีสามารถจัดการได้ทั้งหมด

เราไม่ได้จัดหาเพียงแค่อุปกรณ์ แต่เราสนับสนุนกระบวนการทำงานทั้งหมด ตั้งแต่การทดสอบตัวอย่างไปจนถึงการตรวจสอบกระบวนการ ซึ่งจะช่วยเร่งเส้นทางของคุณไปสู่การค้นพบทางวิทยาศาสตร์ใหม่ๆ

ตัวอย่างการใช้งาน

การแกะสลักร่องตัวเข้ารหัสเชิงเส้นขนาด 10 ซม.

การกัดร่องสำหรับตัวเข้ารหัสเชิงเส้นขนาด 10 ซม. | ความลึก: 20 μm ± 1 μm

แผ่นควอดแรนต์ | วัสดุ: ทังสเตน; มุมแหลม: 40°; ความยาวมุมแหลม: 40μm ± 2μm

อุปกรณ์คัดแยกเซลล์ด้วยเลเซอร์เฟมโตวินาที (fs-laser micromachining): 119.5°

โครงสร้างจุลภาคของคุณสมบัติการยึดเกาะของเซลล์โดยใช้เลเซอร์เฟมโตวินาที

โครงสร้างจุลภาคของพื้นผิวโลหะผสมแพลทินัม-อิริเดียม: ความลึกของการกัด: 7 μm ± 0.5 μm ความกว้างของการกัด: 5 μm ± 0.5 μm

การตัดด้วยไมโครอิเล็กโทรดรูปทรงซับซ้อน: สแตนเลส, ความหนา: 0.01 มม., ความกว้างในการตัด: 5 μm ± 0.5 μm

การกัดกรด GaN: ปราศจากรอยแตกและรอยบิ่น

การตัดร่องด้วยเลเซอร์เฟมโตวินาที | ความกว้าง: 5 ไมโครเมตร

การตัดร่องด้วยเลเซอร์เฟมโตวินาที | ความกว้าง: 2 ไมโครเมตร

การกัดร่องสำหรับตัวเข้ารหัสเชิงเส้น | ความกว้าง: 4μm ± 1μm

การตัดโครงสร้างเชิงกลระดับไมโคร | ทังสเตน, ความกว้างในการตัด: 6 μm ± 0.5 μm, ความหนา: 0.05 มม.

การตัดด้วยไมโครอิเล็กโทรดแบบขึ้นรูป (สแตนเลส)

การตัดด้วยไมโครอิเล็กโทรดแบบกำหนดรูปทรง | สแตนเลส; ความกว้างขั้นต่ำ: 6.5 ไมโครเมตร

การตัดมุมภายในที่คมกริบ | ความกว้างของปลายหัวตัด: 6 ไมโครเมตร

010203040506070809

ครบวงจร บริการ

contact us

Start a Conversation

Ready to solve your precision challenges? Fill out the form below and our team will respond within 24 hours.

Contact information

Address

F1-F2, Building 4, Jianfa-Xinmei Industrial Park, No. 21 Gongtang Road, Guangming District, Shenzhen, China.

Email: laser_ops@szmono.cn
Phone: +85256858560