ติดต่อ
Leave Your Message

ML-ETCH: การกัดเซาะโครงสร้างจุลภาคและพื้นผิวจุลภาคสำหรับพื้นผิวโค้ง

ในสาขาขั้นสูง เช่น เซมิคอนดักเตอร์ เครื่องมือทางแสง และอุปกรณ์ทางการแพทย์ นวัตกรรมผลิตภัณฑ์กำลังก้าวหน้าไปสู่ระดับไมโครสเกล อุปสรรคทางเทคนิคที่สำคัญสำหรับการยกระดับอุตสาหกรรมคือการบรรลุการแกะสลักไมโครสามมิติที่ไม่ก่อให้เกิดความเสียหาย มีประสิทธิภาพสูง และมีความแม่นยำสูง บนวัสดุที่มีจุดหลอมเหลวสูง ความแข็งสูง และมีมูลค่าสูง ML-ETCH ของ Mono นำเสนอทางออกนั้น

เครื่องนี้ผสานรวมเทคโนโลยีเลเซอร์เฟมโตวินาทีระดับอุตสาหกรรมที่พัฒนาขึ้นเองและระบบควบคุมการเคลื่อนที่ขั้นสูง โดยมุ่งเน้นการเพิ่มข้อได้เปรียบในการประมวลผลแบบ "ไม่ทำลายพื้นผิว" ให้สูงสุด ออกแบบมาโดยเฉพาะสำหรับการขึ้นรูปโครงสร้างขนาดเล็กและการแกะสลักอย่างแม่นยำบนพื้นผิวเรียบและพื้นผิวโค้งที่ซับซ้อน ช่วยก้าวข้ามข้อจำกัดด้านวัสดุและรูปทรง เปลี่ยนการออกแบบขนาดเล็กที่ซับซ้อนให้เป็นจริง และสนับสนุนนวัตกรรมผลิตภัณฑ์อย่างแข็งแกร่ง

❑ การขึ้นรูปโครงสร้างจุลภาคและการกัดผิวโค้ง

❑ โครงสร้างจุลภาคที่ไม่สม่ำเสมอของแผ่นนำแสง

❑ การกัดเซาะหัววัดรูปทรงพิเศษของเซมิคอนดักเตอร์

❑ การขึ้นรูปไมโครแชนเนลแบบเบี่ยงเบน

❑ การประมวลผลพื้นผิวละเอียดพิเศษ

    คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

    • แหล่งกำเนิดเลเซอร์เฟมโตวินาทีแบบปรับแต่งได้ระดับอุตสาหกรรม (2)

      แหล่งกำเนิดแสงเลเซอร์เฟมโต (fs-laser) คุณภาพสูงระดับอุตสาหกรรม ปรับแต่งได้ตามต้องการ

    • ความสามารถในการปรับรูปร่างและควบคุมลำแสงหลายมิติ

      ฟังก์ชันการปรับรูปร่างและควบคุมลำแสงสามมิติ;

    • การตรวจสอบทิศทางลำแสงและคุณภาพแบบเรียลไทม์

      ฐานอุปกรณ์ที่มีความเสถียรทางกลและทางความร้อนที่ยอดเยี่ยม

    • ฐานรองที่มีความเสถียรทางกลและทางความร้อนที่เหนือกว่า

      ระบบควบคุมอเนกประสงค์ที่มีการตอบสนองแบบไดนามิกสูง

    • ระบบควบคุมอเนกประสงค์ที่มีการตอบสนองแบบไดนามิกสูง

      โครงสร้างระบบส่งสัญญาณแสงแบบปิดสนิทโดยสมบูรณ์

    • ระบบส่งลำแสงและเส้นทางแสงแบบปิดสนิทอย่างสมบูรณ์

      การประมวลผลพื้นผิวโค้งหลายแกนด้วยความแม่นยำสูง;

    จุดเด่นของผลิตภัณฑ์

    ภาพ

    การขึ้นรูปโครงสร้างจุลภาคที่มีความแม่นยำสูงระดับซับไมครอน

    ❑ ใช้งานได้กับโลหะหลายชนิด (สแตนเลส โลหะผสมทองแดง ทังสเตน โมลิบเดนัม โลหะผสมทองคำ-แพลทินัม ฯลฯ) สามารถเซาะร่องและแกะสลักขนาดเล็กระดับไมครอนบนพื้นผิวโค้งได้ ไม่มีบริเวณที่ได้รับผลกระทบจากความร้อน (HAZ) ไม่มีครีบ ไม่มีชั้นหล่อซ้ำ ความหยาบผิว Ra ≤ 0.2 μm ใช้งานอย่างแพร่หลายในแม่พิมพ์ ลูกกลิ้ง ตลับลูกปืน ซีล ฯลฯ ความสม่ำเสมอของแม่พิมพ์/เครื่องมือที่ผ่านการแปรรูปในแต่ละล็อต ≥ 99.5% ตอบสนองความต้องการการผลิตจำนวนมากในระดับอุตสาหกรรม
    ภาพ

    การกำจัดฟิล์มบางแบบเลือกเฉพาะจุดโดยไม่ก่อให้เกิดความเสียหายจากความร้อน

    ❑ใช้ประโยชน์จากคุณสมบัติ "การประมวลผลแบบเย็น" และแบบไม่สัมผัสของเลเซอร์เฟมโตวินาที ช่วยให้สามารถลอกฟิล์มบางได้อย่างแม่นยำโดยไม่ทำให้พื้นผิวเสียหายจากความร้อนหรือเกิดรอยขรุขระที่ขอบ เหมาะสำหรับการกำจัดชั้นนำไฟฟ้า/ฉนวนไฟฟ้าอย่างเลือกสรรบนพื้นผิวที่ไวต่อความร้อน (เช่น ชิ้นส่วนเพียโซอิเล็กทริก วงจรแบบยืดหยุ่น) และการผลิตชิปไมโครฟลูอิดิก
    ภาพ

    การประมวลผลพื้นผิวระดับไมโครที่มีคุณสมบัติเฉพาะ

    ❑การออกแบบพื้นผิวขนาดเล็กแบบกำหนดเอง ช่วยเพิ่มคุณสมบัติให้กับวัสดุ เช่น ลดแรงเสียดทาน กันน้ำ/ดูดซับน้ำ สัมผัสนุ่ม ลดแสงสะท้อน
    ภาพ

    เข้ากันได้กับวัสดุหลากหลายประเภท

    ❑ช่วยแก้ปัญหา "วัสดุแข็งกัดกร่อนยากและแตกหักง่าย" ใช้งานได้กับวัสดุแข็งเปราะ/นำความร้อนสูง (เช่น เพชรผลึกหลายเหลี่ยม/PCD, แซฟไฟร์, ทังสเตนคาร์ไบด์ เป็นต้น) ใช้กันอย่างแพร่หลายในชิ้นส่วนทางแสง เครื่องมือทนการสึกหรอ หน้ากากเซมิคอนดักเตอร์ และอื่นๆ

    ข้อกำหนดทางเทคนิค

    พื้นที่ประมวลผล

    แบบระนาบ: 400 มม. × 400 มม.; แบบสเตอริโอ: 150 มม. × 150 มม. × 100 มม.

    ความแม่นยำในการกำหนดตำแหน่ง (X/Y/Z/B/C)

    ≤±1μm/≤±1μm/≤±1μm/≤±5arcsec/≤±3arcsec

    ประเภทชิ้นงาน

    พื้นผิวเรียบและโค้ง

    ความกว้างเส้นขั้นต่ำ

    3 ไมโครเมตร

    ความหยาบของพื้นผิว

    ≤Ra0.2

    ความแม่นยำเชิงมิติ

    ≤±2μm

    ความแม่นยำของอัตราส่วนความลึกต่อเส้นผ่านศูนย์กลาง

    ≤±0.3μm

    ความแม่นยำในการประมวลผลอย่างครอบคลุม

    ≤±3μm

    ตัวอย่างการใช้งาน

    1

    โครงสร้างทรงครึ่งวงกลมแบบนูน: เส้นผ่านศูนย์กลาง: 0.23 มม., ความหยาบผิว: Sa

    cdc5b701f88230473ec83bfa1ff2418f

    การแกะสลักด้วยเลเซอร์เฟมโตวินาทีสำหรับโครงสร้างจุลภาคแบบนูน (ความลาดเอียง 45°) : ความแม่นยำ ±2 μm ความหยาบผิว: Sa

    การกัดเซาะเฟืองเกลียวเซรามิก MONO

    การกัดลายเฟืองเกลียวเซรามิก MONO: ควบคุมความเรียวได้ ความแม่นยำสูงถึง 0.002 มม.

    การกัดวงแหวนซีลเซรามิก MONO

    การกัดเซาะวงแหวนซีลเซรามิก MONO: ความลึกของการกัดเซาะ 20 μm ± 2 μm

    การแกะสลักแผ่นพิมพ์สำหรับคอนแทคเลนส์ MONO

    การกัดเซาะโครงสร้างพีระมิด: ความกว้างด้านบน: 40 ไมโครเมตร ความลึก: 0.16 มิลลิเมตร ไม่มีการยุบตัวที่มุม

    การกัดลายด้วยลูกกลิ้ง MONO Iridescent

    การกัดร่องตันบนเพลาลูกกลิ้งเหล็ก: ความลึก 55 μm ± 2 μm ความสม่ำเสมอสูง

    โครงสร้างการกัดเซาะด้วยเข็มขนาดเล็กของเรซิน MONO

    การแกะสลักโครงสร้างจุลภาคแบบนูนด้วยเลเซอร์เฟมโตวินาที: ความกว้าง 46 ไมโครเมตร ความแม่นยำ ±3 ไมโครเมตร

    การกัดเซาะพื้นผิวด้วยลูกกลิ้ง MONO

    การเซาะร่องด้วยเลเซอร์เฟมโตวินาทีแบบควบคุมความลึกบนเพลาลูกกลิ้ง: ความแม่นยำ: ±2 μm, ความหยาบผิว: Ra 0.2 μm

    การกัดร่องด้วยเหล็กทังสเตน MONO

    การกัดร่องด้วยเหล็กทังสเตน MONO: ความลึก 52 ไมโครเมตร

    010203040506

    contact us

    Start a Conversation

    Ready to solve your precision challenges? Fill out the form below and our team will respond within 24 hours.

    Contact information

    Address

    F1-F2, Building 4, Jianfa-Xinmei Industrial Park, No. 21 Gongtang Road, Guangming District, Shenzhen, China.

    1647831b1f9f653d5ce88b0294a12170
    yx-contact-bg